长鑫存储十年架构创新300项专利

一、十年技术布局：300 项专利筑牢架构创新根基

1. 专利布局整体概况

长鑫从创立之初就启动新型 DRAM 架构研发，围绕 4F² 阵列结构、VSG 晶体管、存储单元设计等方向持续申请专利，目前公开专利族总量已经突破 300 件，覆盖器件结构、阵列布局、制造工艺、电路设计等全技术环节，形成严密的专利保护网络36氪。

2. 专利技术分类清单

器件类专利：聚焦垂直包围沟道晶体管结构，解决短沟道漏电难题；

阵列架构专利：围绕 4F² 单元布局，优化存储单元面积，提升单位硅片存储容量；工艺制造专利：包含四重曝光、高介电常数栅极、深沟槽电容等配套制造技术；电路设计专利：配套新型阵列的读写电路、刷新控制与可靠性优化方案。

二、十年研发分步实施路径

阶段 1：前期布局（2016—2020 年）

启动 4F² 架构预研，同步开展专利挖掘与申报，完成器件仿真、结构建模，积累基础技术专利，完成超过 100 项核心专利申请，锁定架构创新的核心技术方向。

阶段 2：技术攻坚（2021—2024 年）

发布国内首篇 4F² 架构学术论文，连续在国际器件会议公布迭代成果，完成 VSG 晶体管工艺验证，打通架构设计与制造工艺的协同优化，专利总数稳步突破 300 件电子工程专...。

阶段 3：量产落地（2025— 至今）

将架构创新技术融入第五代工艺平台，把阵列结构优化成果落地到 DDR5、LPDDR5X 等商用芯片，完成从技术研发到规模化量产的完整闭环，依靠架构创新持续提升产品竞争力。

从专利布局、技术仿真、工艺验证再到芯片量产，一步步把架构创新转化为商用产品，开辟出不依赖极致先进制程的 DRAM 技术升级路径，持续推动国产存储芯片产业稳步向前发展。